Sviluppo di un low-noise amplifier a banda larga in tecnologia GaN HEMT integrata

Questa tesi ha la finalità di sviluppare un LNA in tecnologia GaN HEMT ad elevata linearità per applicazioni radar. Il progetto si sviluppa su piattaforma ADS ed utilizza un processo di fonderia commerciale.

Nel corso della tesi saranno individuate differenti topologie circuitali ed affrontato il problema dell'accoppiamento con la sezione trasmittente al fine della riduzione del leakage del trasmettitore e la perdita di linearità nel LNA.

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Relatori di riferimento: Prof. Alessandro Cidronali e Ing. Giovanni Collodi

SSD: ING-INF/01